Научно-производственный филиал в г. Саранск

Продукция Саранского филиала АО "НИИТФА"

Контакты

СаранскСаранский завод электровакуумных приборов был создан Советом Народного Хозяйства Мордовского экономического административного района 6 марта 1961 г., на базе существующих площадей и зданий махорочной фабрики. Технологическую часть проекта по реконструкции зданий выполняла проектная организация ГСПИ-6. Наряду со строительными работами велся монтаж оборудования: металлообрабатывающего, прессового, генераторов ВЧ, столов пайки стекла с металлом, водородных и вакуумных печей, откачных постов, испытательного оборудования.

В июле 1961 г. завод был переименован в п/я 28. Началось освоение электровакуумной продукции, в том числе газоразрядных счетчиков и ионизационных камер. В декабре 1961 г. был освоен новый счетчик СНМ 11, удостоенный на выставке ВДНХ диплома 2 степени. В 1963 г. освоен выпуск камер типа: КНК53М, КНК57М, КНТ2, КНТ5, КНТ8, КНТ10.

С 1 августа 1966 г. предприятие стало называться Саранский завод точных приборов. В 1989 г. после разделения завода, его часть, выпускающая электровакуумные приборы, была передана в состав Министерства среднего машиностроения и стала называться Саранский филиал ВНИИРТ, а затем - переименована в Саранский филиал ВНИИ технической физики и автоматизации. С 13 октября 2008 г. завод носит название имеет название Саранский филиал ОАО «НИИТФА», а с декабря 2014 г. - Саранский филиал АО «НИИТФА».

Номенклатурный перечень выпускаемых приборов (газоразрядных детекторов излучения) охватывает весь необходимый диапазон по энергии излучения и чувстви-тельности измерения.

Завод имеет необходимое технологическое оборудование для выпуска газоразрядных детекторов на самом современном уровне. Испытания и контроль качества изготовленных приборов – неотъемлемая часть производства. Саранский завод оснащен современным испытательным оборудованием, в котором используются радиационные установки различной мощности, климатические и механические установки, автоматическая аппаратура для измерения электрических параметров.