Исследовательская самозащищенная бета-установка БОИС -8 | Печать |

Назначение: радиационное регулирование электрофизических параметров полупроводниковых приборов, повышение выхода годных изделий, радиационных исследований.

 

 

 

 

 

Технические характеристики:

Источник излучения 90Sr→90Y
Активность облучателя, Бк 3 х 1014
Площадь облучаемой поверхности, м³ 0,04
Неравномерность облучения, % ± 20
Габаритные размеры установки (Д х В х Ш), м 2 х 1,7 х 0,9
Масса, т 3